SUNX輸出光電耦合器注意事項/PhotoMOS使用注意事項1
PhotoMOS使用注意事項
1.關(guān)于降額設(shè)計
降額是性設(shè)計中所不可或缺的內(nèi)容,是關(guān)乎產(chǎn)品壽命的重要因素。
即使本產(chǎn)品的使用條件(使用溫度、電流、電壓等)是在較大額定值范圍內(nèi),如在高負(fù)載(高溫、高濕、高電流、高電壓等)下連續(xù)使用,
可能會造成性顯著降,因此相對于較大額定值,請充分降額,并在實際機(jī)器上進(jìn)行確認(rèn)后再加以使用。
另外,預(yù)計會因本產(chǎn)品品質(zhì)不良等原因而對人身安全以及財產(chǎn)產(chǎn)生重大影響的情況下,從制造物責(zé)任的觀點(diǎn)出發(fā),
建議針對較大額定值確保更大的余量,同時采取雙重電路等安全措施。
2.關(guān)于施加過較大額定值
各端子的電壓、電流值過較大額定值時,內(nèi)部元件可能會因過電壓、過電流引起劣化。甚至?xí)斐膳渚€的熔斷和硅膠P/N接合部的破壞。
3.關(guān)于輸入電壓(功率電壓驅(qū)動型、TSON型)
輸入電壓的上升率及下降率dv/dt,請在100mV/ms以上使用。
4.關(guān)于振蕩電路及控制電路
可能會因浪涌和靜電等受到破壞。關(guān)于抗干擾和振蕩電路工作時會對周邊電路產(chǎn)生的影響等,使用前請通過實際機(jī)器充分進(jìn)行確認(rèn),并在系統(tǒng)上采取對策。
5.關(guān)于靜電放電引起的劣化、破壞(TSON/RF C×R3/C×R5/C×R10)
各種因素所產(chǎn)生的靜電接觸到輸出光電耦合器的各端子時會進(jìn)行放電,破壞元件內(nèi)部,這種現(xiàn)象稱為靜電破壞現(xiàn)象。
使用時請注意以下注意事項,實施靜電對策。
1.操作輸出光電耦合器的作業(yè)人員,請穿戴制電性作業(yè)服,通過500kΩ~1MΩ左右的保護(hù)電阻,實施人體接地。
2.請在作業(yè)臺上粘貼帶導(dǎo)電性的金屬板,對測量儀器和治具等實施接地。
3.使用電烙鐵時,請使用漏電流較少的產(chǎn)品,或?qū)﹄娎予F前端進(jìn)行接地。(建議使用電壓用的電烙鐵。)
4.組裝時使用的設(shè)備等也應(yīng)正確地接地。
5.對印刷安裝基板和機(jī)器進(jìn)行包裝時,請避免使用發(fā)泡苯乙烯、聚乙烯
等帶電性的高分子材料。
6.對輸出光電耦合器進(jìn)行儲存和搬運(yùn)時,請在不易產(chǎn)生靜電的環(huán)境(例
如濕度45%~60%)中通過導(dǎo)電性包裝材料進(jìn)行保護(hù)。
6.關(guān)于未使用端子
由于3號端子在輸出光電耦合器內(nèi)部電路使用,因此請勿連接到A,B,C或外部電路(6腳型)。
7.關(guān)于端子間的短路
輸出光電耦合器通電過程中,如果將輸入/輸出端子間短路,則可能破壞內(nèi)部IC,敬請注意。
8.關(guān)于輸入端浪涌電壓
在輸入端子中施加反方向浪涌電壓的情況下,請在輸入端子逆向并列方向連接二極管,請勿在輸入端子上施加逆耐壓以上的逆電壓。
1. 6腳型 |
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2. 功率 |
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關(guān)于建議輸入電流值輸入電流值建議選擇以下值。
產(chǎn)品 | 建議輸入電流值 | |
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DIP?SOP?SSOP?SON | AQV10,11,20系列 APV11,21系列(MOSFET驅(qū)動) | 10mA |
AQY21,41系列 AQV21,41系列 AQV22系列 AQY22系列 AQV25,45系列 AQW21系列 AQW41,61系列 AQW22系列 AQW25,45,65系列 AQS22系列 | 5mA | |
AQY212GS,AQY212G2S,AQY211G2S AQY21*H,41*H系列 AQY210KS、AQY210HL AQY27系列 AQV21*H系列 AQV25*H,45*H系列 AQV25*G系列、AQV255GS,AQV252G2S AQW21*H,41*H,61*H系列 AQW210HL | 5~10mA | |
AQV23系列、AQY23系列 | 2mA | |
SIL | AQZ10,20,40系列、AQZ26系列 | 5~10mA |
AQZ19系列 | 10mA |
產(chǎn)品 | 建議輸入電流值 | |
---|---|---|
TSON | AQY2C1R*P | 3~5V |
SOP?SSOP | AQY2**F系列、AQS221F系列 | 5V |
SIL | AQZ10*D、AQZ20*D | 5V |
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